東レ・ダウコーニングは５月12日、ＳｉＣ（炭化ケイ素）ウエハ製品（４インチウエハ）の現「プライム・グレード」を３つのグレードに分けたと発表した。
マイクロパイプ（ＭＰＤ）や貫通らせん転位（ＴＳＤ）、基底面転位（ＢＰＤ）のような、デバイスの致命的なキラー欠陥に対する新たな規格を明確化した。このグレード分けにより、次世代パワーエレクトロニクス・デバイスの性能およびコストの最適化を目指す。「プライム・グレード」の基板は、今後「プライム・スタンダード」、「プライム・セレクト」、「プライム・ウルトラ」の３つのグレードで販売する。
３つのプライム・グレードＳｉＣウエハはいずれも、欠陥密度および他の重要な特性についてより厳密な規格を設けている。これにより、顧客はデバイス用途でのニーズに応じて、ウエハの品質とコストのバランスを取ることが可能となる。
ＳｉＣ基板メーカーの多くは、マイクロパイプ密度について保証しているが、ＴＳＤやＢＰＤといった他のキラー欠陥についても規格を明示するのは同社が初めて。こうした欠陥はデバイスの歩留まりを悪化させるだけでなく、定格電流が大きい次世代の大面積パワーエレクトロニクス・デバイス製造において採算性の悪化につながる。
同社が提供する３つのプライム・グレードＳｉＣウエハは、量産および試作工程でも優れた機械特性を持つ。
「プライム・スタンダード」は、０・５cm-2もしくはそれ以下のＭＰＤを保証しているため、定格電流が低めのショットキー・ダイオードや接合障壁ショットキー・ダイオードのような、比較的単純なＳｉＣパワーエレクトロニクス・コンポーネントを設計する際に適しており、性能とコストのバランスがとれた製品。
「プライム・セレクト」は、ＭＰＤ（≤０・２ｃｍ-2）、ＢＰＤ（≤８００ｃｍ-2)と規格をより厳密にしているため、ピンダイオードやスイッチのような、要件が厳しいＳｉＣデバイスに適している。
「プライム・ウルトラ」は、最も高い結晶品質が求められるハイパワー・デバイスの設計を可能にする。このグレードのＳｉＣ基板はＭＰＤ（≤０・１ｃｍ-2）、ＢＰＤ（≤５００ｃｍ-2）、ＴＳＤ（≤３００ｃｍ-2）といずれも極めて低く、ウエハの抵抗分布も密になっているため、最も先進的なＳｉＣパワーエレクトロニクス・デバイスの設計を可能にする。例えば、金属酸化膜半導体電界効果トランジスター（ＭＯＳＦＥＴ）やジャンクション電界効果トランジスター（ＪＦＥＴ）、ＩＧＢＴやバイポーラ接合トランジスター（ＢＪＴ）、ピンダイオードといった次世代スイッチング・デバイスなど。さらに、このグレードは基板の品質が極めて優れているため、３・３ｋＶを超える高圧や定格電流が大きいデバイスの設計でもそのメリットを発揮する。
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