三井化学は４月23日、ＮＥＤＯが実施する「ポスト５Ｇ情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発（補助）」のうち、〔２〕先端半導体製造技術の開発（ｃ）露光周辺技術開発（ｃ１）高出力ＥＵＶ露光装置向けペリクル開発に採択されたと発表した。
同事業は、ポスト５Ｇ時代に対応した先端半導体の安定供給と製造基盤の強化を目的とし、我が国の産業競争力の中核となる半導体製造技術の確立を目指すものとなる。次世代半導体デバイス製造には、ＥＵＶ（極端紫外線）露光装置の高出力化は不可欠とされており、対応できるペリクル技術の社会実装が強く求められている。
同社は、これまで培ってきたペリクル生産技術に加え、ナノ材料設計技術および先端プロセス技術を基盤として、同事業を通じて高出力ＥＵＶ露光環境下において耐久性と透過率を両立するペリクル技術の開発に取り組む。これにより、先端ロジック・メモリ半導体の生産プロセスにおける歩留まりの改善、生産性（スループット）の向上、さらには露光工程での消費電力低減に大きく寄与する。
今後も同社は、材料技術を中核としたイノベーションを通じて、社会課題解決に必要な情報通信、半導体、デジタル社会の発展と、これら産業における日本の国際競争力強化に貢献していく。
