住友化学がＮＥＤＯに採択　大口径半導体材料の開発で

　住友化学は11月20日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）による、２０２４年度「脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム」において、「パワーエレクトロニクス用大口径ＧａＮ　ｏｎ　ＧａＮウエハの開発」に関する事業の採択を受けたと発表した。
　同社は、同プログラムを活用し、パワーデバイス向け６インチＧａＮ　ｏｎ　ＧａＮウエハ量産技術の開発を加速することで、省エネルギー社会の実現に貢献していく。
　ＮＥＤＯが実施する同プログラムは、２０５０年のカーボンニュートラル社会の実現に向けて、大幅な省エネルギーを実現する革新的な技術の開発を促進するものとなる。ＧａＮ　ｏｎ　ＧａＮウエハは省エネ性や高耐圧・大電流動作の点で他半導体材料より優れると言われており、電力インフラやデータセンターサーバー、電気自動車向け用途などパワーエレクトロニクス用半導体分野での活用が期待されている。
　ＧａＮ　ｏｎ　ＧａＮウエハをパワーエレクトロニクス用途へ展開するには、デバイスメーカーのプロセスに適合するサイズへの大口径化が不可欠であり、同社は高品質かつ低コストの６インチウエハ量産実現を目標としている。同プログラムで取り組む技術開発のポイントは、ＧａＮ基板では、ＧａＮ結晶の長尺化、種結晶の高品位化、３次元成長技術などによる収率向上や品質向上、ＧａＮ成長層（エピ）では、同社独自技術である改良ＨＶＰＥ法による量産化となる。これらのポイントを中心に、ＧａＮ基板と成長層それぞれに対する技術改良を行うことで、量産化技術の確立を目指す。
　同社は、ＩＣＴ＆モビリティソリューション事業を成長ドライバーの一つに位置付けており、これからもＧａＮ　ｏｎ　ＧａＮをはじめとした情報通信社会の発展に資する製品・技術の開発に注力していく。

ガン基板